3月6日，坐落在中国大陆海岸线中段、经济发达的长江三角洲南翼的宁波鄞州中国“芯”之城落成奠基。此次奠基以“全芯科技，全新启航”为主题，由宁波市政府牵头宁波时代全芯科技有限公司于2013年扎根鄞州，在力利记投资集团、银创财富（中国）管理集团的倾力力推下，使得该项目最终在今日在宁波鄞州工业园区破土动工。据悉出席该技术奠基仪式的有IBM美国技术部副总裁T.C.Chen博士、美国技术部总监Mary Garrity博士，宁波市副市长陈仲朝先生，宁波市副秘书长陈炳荣先生，宁波市鄞州区副区长黄新山先生，力利记投资集团、宁波时代全芯科技有限公司董事长张龙先生，杨剑辉先生，曾邦助博士。

　　　该项芯片存储技术为中国第一款自主知识产权的相变存储技术，打破了韩美在该技术领域的相关垄断，已获得全球57项专利，本次奠基仪式是继2013年11月28日中国首款相变存储技术发布后，又一具有全新里程碑意义的事件。

　　　在不到一年的时间里，宁波时代全芯科技有限公司从2013年1月确定选址宁波鄞州，2014年3月按照相关规定完成环保评估，公司预计在2014年5月开始建设相变存储器厂，工厂预计在2015年年中进入投产阶段，12月能实现一期全产能八千片的生产规模。

　　　宁波时代全芯科技有限公司管理团队由国际顶尖华裔科学家为主体组成，其中主要包括美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士马佐平等，科研团队则拥有来自世界各地的40多位专家组成。

　　　据权威市场分析公司预测，在未来30年内，基于PCM技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业发展的主要支撑力量。

　　　宁波时代全芯科技有限公司曾邦助博士曾在接受媒体采访时表示，PCM现在已经可以取代部分闪存市场，随着产品不断升级，未来还会逐步取代部分内存、移动硬盘以及固态硬盘市场，并延伸至许多特殊应用领域，比如路由器中的CAM（内容寻址存储器），甚至可以作为一种新的计算单元使用。相变存储技术如同互联网技术一样，是一种新的“使能技术”，它将会带来更多全新的、甚至是我们目前还无法想像的应用模式，其创造的价值以及未来的市场发展空间都是十分巨大的。宁波时代全芯科技有限公司的目标是在半导体产业的面临重大战略机遇之际凭借新的相变存储技术和独家专利技术成为存储芯片和应用的主导，引领新一代存储技术和产品。

　　　目前，宁波时代全芯科技有限公司一期项目正在建设中，总投资达到1.5亿美金，并力争5年内启动二期项目，完成投资达到20亿美元以上，实现自己建厂，研发及生产具有完整知识产权的芯片产品，“芯片梦”代表中国未来信息技术产业的发展方向，宁波时代全芯科技有限公司力争依托鄞州政府的支持，将宁波鄞州打造成“中国芯片之城”。